Apple přejde z používání TLC (triple-level cell) NAND flash na MLC (multi-level cell) NAND flash v iPhone 6 a iPhone 6 Plus poté, co uživatelé zkušený problémy s pády a zaváděcí smyčkou u verzí s vyšší kapacitou obou zařízení, zprávy obchodní Korea .
Zdroje novinám sdělily, že za výrobní vady může firma Anobit, kterou Apple získal v roce 2011. Apple údajně přejde na MLC NAND flash pro 64GB iPhone 6 a 128GB iPhone 6 Plus a bude také řešit problémy s pády a zaváděcí smyčkou s vydáním iOS 8.1.1. Apple již dříve používal MLC NAND flash v iPhonech předchozí generace.
TLC NAND flash je typ polovodičové NAND flash paměti, která ukládá tři bity dat na buňku. Dokáže uložit třikrát více dat než jednoúrovňová buňka (SLC), která ukládá jeden bit dat, a 1,5krát více než polovodičová flash paměť s víceúrovňovou buňkou (MLC), která ukládá dva bity dat. Navíc je TLC flash cenově dostupnější. Je však také pomalejší než SLC nebo MLC při čtení a zápisu dat.
Apple vydal svou první beta verzi iOS 8.1.1 vývojářům začátkem tohoto týdne, i když společnost nespecifikovala, zda zahrnuté opravy chyb řeší problémy se spouštěcí smyčkou a pády na iPhone 6 a iPhone 6 Plus. Uživatelům, kteří u svého iPhonu 6 nebo iPhonu 6 Plus zaznamenají neobvyklé množství smyček při spouštění a pádů, se doporučuje, aby svá zařízení přinesli zpět do maloobchodního obchodu Apple a vyměnili je.
Populární Příspěvky